2005年4月，意法半導(dǎo)體（ST）與韓國Hynix半導(dǎo)體（Hynix）投資總額高達20億美元的存儲器芯片合資項目在無錫舉行奠基儀式。工廠占地面積55萬平方米，無塵潔凈室達到2萬平方米。
近日，由兩家公司宣布，Hynix-ST（Hynix-ST）半導(dǎo)體有限公司正式開業(yè)。目前DRAM芯片采用80nm、90nm和110nm制造工藝。明年年中，還將開始生產(chǎn)工藝先進的NAND閃存。據(jù)稱是中國目前最大的晶圓制造項目。
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